Пилипенко Владимир Александрович

24 Авг

Владимир Александрович Пилипенко (род. 18.7.1949, г. Мозырь Гомел. обл.), физик, ученый в области микроэлектроники. Член-корреспондент Национальной академии наук Беларуси (2000), доктор технических наук (1991), профессор (1995).

Биография:

Окончил Белгосуниверситет (1971). С 1971 г. инженер, начальник отдела научно-исследовательского конструкторско-технологического унитарного предприятия «Белмикросистемы» НПО «Интеграл». С 1996 г. заместитель директора Государственного центра «Белмикроанализ» НПО «Интеграл».

На протяжении многих лет Владимир Александрович ведет научно-организационную работу. Он является членом межведомственного экспертного совета по приоритетному направлению фундаментальных и прикладных научных исследований «Конкурентоспособные изделия радио-, микро-, нано-, СВЧ- и силовой электроники, микросенсорики, лазерно-оптической техники, разработка новых приборов, в том числе для научных целей», заместителем председателя Совета по защите диссертаций Д 02.01.16 в БГУ, членом Совета по защите диссертаций Д 02.05.17 в БНТУ, членом бюро правления Физического общества Беларуси, научного консультативного совета Американского биографического института (США) и международного института инженеров по электротехнике и электронике (IEEE, Нью-Йорк, США), работает в составе оргкомитетов международных научно-технических конференций.

Неоднократно научные достижения Владимира Пилипенко отмечались различными наградами, в т.ч. нагрудным знаком «Изобретатель СССР». В 2010 году награжден Международным Биографическим Центром (Кембридж, Англия) алмазом Да Винчи и включен в информационный справочник «2000 Выдающихся Интеллектуалов 21-го Века».

Выполнил исследования в области управляемой модификации свойств полупроводников, тонких пленок металлов и диэлектриков.

Обнаружил эффекты, приводящие к ускорению процессов модификации свойств различных материалов под воздействием световых импульсов и предложил механизмы их возникновения: удвоение коэффициента диффузии примесей и отсутствие эффекта оттеснения базы эмиттером при твердофазной рекристаллизации ионнолегированных слоев кремния; формирование равновесной, термостабильной структуры легированных пленок алюминия и их контакта к кремнию; одностадийное формирование дисилицида титана.

Разработал методы расчета температурных режимов и определил оптимальные условия, обеспечивающие минимизацию таких напряжений.

Осуществил моделирование процессов формирования различных тонкопленочных систем с применением быстрой термической обработки: геттерирования, оплавления легкоплавких стекол, рекристаллизации пленок алюминия, диффузионного синтеза силицидов различных металлов и др.

Разработал технологию создания интегральных микросхем на базе быстрых термических обработок.

Автор около 290 научных работ, в том числе 7 монографий, 40 изобретений и 2 патента РБ в области физики твердого тела, микроэлектроники и экспериментальной физики.

Работы автора (библиография):

  1. Физические основы быстрой термообработки. Создание многоуровневой металлизации. Мн.: БГУ, 2000 (в соавт.).
  2. Физические основы быстрой термообработки. Геттерирование, отжиг ионолегированных слоев, БТО в технологии СБИС. Мн.: БГУ, 2001 (в соавт.).
  3. Физические основы быстрой термообработки. Отжиг поликристаллического кремния, диэлектрических пленок, очистка поверхности и эпитаксия. Мн., 2002 (в соавт.).
  4. Быстрые термообработки в технологии. СБИС. Мн.: Изд. центр БГУ, 2004.